FEE 模块作为底层驱动层和上层应用层之间的一个中间层，通过物理地址映射、索引号抽象化，完全屏蔽了对底层硬件的复杂操作。降低上层应用程序开发人员的开发难度，提高开发效率，使用更灵活。用户再也不用担心EEPROM 空间受限,有效的降低了开发成本。本篇我们介绍使用Flash两个单独的区域来实现EEPROM的模拟。

1. 什么是FEE？

EEPROM: Electrically Erasable and Programmable ROM(Read Only Memory)（电可擦写只读存储器），支持Bytes擦写，写周期长，擦写数据时电流比Flash大，容量低（KB数量级），常用于低端产品中。

Flash:闪存。“闪存”也是一种非易失性的内存，只能块擦除，擦写速度快，功耗低 ，兆数量级或更大。

FEE: Flash EEPROM Emulation (闪存模拟电可擦只读存储器)，FEE取长补短，综合两者优势。

2. FEE机制

至少需要两块相同大小的未使用的 Flash 区域，该区域是指最小擦除单位(Section)。用户所需要保存的数据总量不能大于一个Section 的大小。如果用户数据量太大，可以选择 Section 大小比较大的区域，也可以采用多个连续 Section 合并的方法来解决。

每次写入操作时，先根据Bank索引号找出当前页，然后遍历当前页中的已有记录，直到找出下一个空记录地址，向下一个空的地址写入BlockNum来标志该单元被使用，然后写入用户数据。读取时，通过Block索引号获取物理地址，然后读出它的数据空间。写入时，如果当前页面剩余的空间不足写入一个新的记录，则新纪录被写入另一页。这样的实现模型交替使用FLASH的两页来保存EEPROM数据。

3. FEE_Read流程图

4. FEE_Write流程图

5. 实例调试

本例基于MPC5744P平台，用两个16KB的页来模拟内部EEPROM。

配置Bank信息如下：

{0X00,0X00800000U,16 KB,0X00803FFFU},/*bank号，起始地址，地址长度，末尾地址*/
{0X01, 0X00804000U, 16 KB, 0X00807FFFU}

配置Block信息如下：

{0x10U,8U,FALSE,200U,0U},/*Block号，Block长度，是否支持立即数，周期，是否支持NvM*/
{0x11U, 10U, FALSE, 200U, 0U},

定义一个testFeeBlock数组作为写入的数据。

uint8_t testFeeBlock[8]={0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07,0x08};

执行写和读的操作。

Fee_Write(0x10, testFeeBlock);
Fee_MainFunction();
Fee_Read(0x10, 0, testFeeReadBlock, 8);
Fee_MainFunction();

执行写FEE操作之后，查看0x00800000内存地址的数据，可发现数据已经被写入。

执行读FEE操作之后，查看变量testFeeReadBlock，发现数据已经正确读出。

在100ms任务内循环写入该Block，不定时查看两个页面的数据，可发现页的交替正常，并且读出的Block数据也正常。